iii v族化合物

為什麼換個背景差這麼多

6月 8, 2012

謝語蘭

kuso

圖一的細線部分為傳統三五族化合物半導體之能隙與晶格常數關係圖 以後上網求神人幫忙PS圖的時候，皮要繃緊點了.....一、 簡介 近年來，低含氮三五族化合物半導體(簡稱III-V-N)已引起廣泛的研究興趣。當三五族化合物半導體所摻入的氮含量很高而形成合金(alloy)態時，將不再視為過去的等電性摻雜(isoelectronic doping)，此時材料的物理性質將會有很大變化。...

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他們真的在畢業的前一天爆炸

6月 8, 2012

張千梅

kuso

2003春季課程：化合物半導體元件 真得爆了XD課 課程單元 重要日期 1 化合物半導體：材料系統 (三五族、二六族、四六族、四四族)，混合型材料，能隙與晶格常數，能帶結構 (E與k； Γ、L、X能帶之最低點；直接與間接能隙 ......

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原來澎澎與丁滿真的存在

6月 11, 2012

范姜孤桃

kuso

多環芳香族碳氫化合物檢測方法－氣相層析法(NIEA R812.21C) 太可愛了!!!多環芳香族碳氫化合物檢測方法－氣相層析法 中華民國86年8月5日(86)環署檢字第41710號公告 NIEA R812.20C 中華民國91年3月5日環署檢字第0910014627號公告 修正原方法名稱「廢棄物中多環芳香族碳氫化合物檢測方法－氣相層析法」,...

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想打他的請按讚....

6月 11, 2012

林慕夢

kuso

聚光型太陽能電池 - 慶聲科技 環境試驗設備專家 實在是太噁了啊XDAluminum Heat Sink 鋁製散熱板 Ambient Temperature 環境溫度 Amorphous 非晶矽 Amorphous silicon, a-Si 非結晶矽 AM0 太陽光在大氣層外的平均照度稱為 AM0，其功率約 1300W/m^2 AM1 太陽光透過大氣層後與地表呈 90 度時的平均照度稱為 AM1，其功率約 925W/m^2...

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考試當前，你突然會有其他的志向...

6月 13, 2012

范姜孤桃

kuso

半導體材料掀革命 10nm製程改用鍺/III-V元素 - 追新聞 - 新電子科技雜誌         也變得太快了吧XD半導體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(Epitaxy Layer)普遍採用的矽材料，在邁入10奈米技術節點後，將面臨物理極限，使製程微縮效益降低，因此半導體大廠已相繼投入研發更穩定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(III-V...

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發票vs鈔票

6月 15, 2012

何海丹

kuso

聚碳酸酯 - 維基百科，自由的百科全書 可以回答我為什麼嗎?!性質 [編輯] 密度：1.20 g/cm 3 可用溫度： −100 至 +180 熱變形溫度：135 融點：約250 屈折率： 1.585 ± 0.001 光透過率：90% ± 1% 熱傳導率：0.19 W/mK 線膨脹率：3.8×10-5 cm/cm 化學性質 [編輯] 聚碳酸酯，耐酸、耐油，但不耐紫外光，不耐 ......

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