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半導體科技新聞 - 台灣半導體業溫室氣體全氟化物排放減量 - Semicondutor News, Science and Technology

余榮彬/工研院工安衛中心 半導體晶圓乾式蝕刻製程和化學氣相沉積(CVD)製程,多少均會使用到含氟化合物;以乾式蝕刻為例,poly製程會使用CF4、CHF3、C2F6、SF6等氣體,金屬層蝕刻通常會用SF6、CF4,而氧化層蝕刻也會用到CF4;至於CVD反應腔清洗 ......

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