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奈米通訊。第五卷第二期 12.深次微米閘極技術之發展與未來趨勢(I)

多晶矽鍺閘極技術 矽鍺(SiGe)薄膜沉積是近年來非常重要的一項新興技術。由於矽和鍺的晶格常數相差約4%,所以要將矽鍺薄膜磊晶成長(epitaxy)在矽基板上不是一件容易的事,早期由於製程溫度太高(>900 ),易引發矽鍺薄膜中的形變能量 ......

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  Karen表示, 自己是於2006年與川普相見並相戀(在川普已婚期間),後與他維持了十個月的浪漫愛情,有過無數次無保護的性愛。 「川普是個特別有魅力的人,和電視上報道的完全不一樣,我和他之間是真愛,我愛過他,確信她也愛過我。」 Karen這一重磅炸彈下來,不僅讓已經焦頭爛額的川普陣營...

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