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義 守 大 學

摻雜以何種方式為最佳,最後加上一層電洞阻擋層來提升元件效率。 電洞注入材料為m-MTDATA,電洞阻擋層為Bphen,當F4-TCNQ 摻 雜濃度為1%,摻雜區域位於電洞注入層中間,電洞阻擋層厚度為12.5A、時,元件特性最佳。元件結構如下: ITO/m-MTDATA、 ......

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