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本文將介紹整合飛輪二極體(FWD)的1,200V RC-IGBT。 採用英飛凌專有TrenchStop技術的溝槽單元結合了場終止概念(見圖1中的IGBT)。由於射極(陰極)附近的載子濃度提高,溝槽單元可降低導通損耗。場終止概念是NPT概念的進一步發展,包含一個額外植入晶圓 ......

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