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金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科,自由的百科全書

晶片內部連接導線的寄生電容效應 傳統上,互補式金屬氧化物半導體邏輯閘的切換速度與其元件的閘極電容有關。但是當閘極電容隨著金氧半場效電晶體尺寸變小而減少,同樣大小的晶片上可容納更多電晶體時,連接這些電晶體的金屬導線間產生的寄生 ......

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