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半導體製程及原理

晶圓上光阻後,經曝光處理,再由顯影液將曝光區的正光阻溶解、洗淨、涼乾,再經蝕刻去除曝光區的絕緣層,而未曝光區的光阻則不受蝕刻影嚮,最後除去剩餘光阻,可用溶液 (如H2SO 4 +H 2 O 2 槽)或電漿氧化,經此道程序,可製成設計所需之絕緣層鑄型 ......

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