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義 守 大 學

摻雜以何種方式為最佳,最後加上一層電洞阻擋層來提升元件效率。 電洞注入材料為m-MTDATA,電洞阻擋層為Bphen,當F4-TCNQ 摻 雜濃度為1%,摻雜區域位於電洞注入層中間,電洞阻擋層厚度為12.5A、時,元件特性最佳。元件結構如下: ITO/m-MTDATA、 ......

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最近有一項新研究表示,女性在愛愛時假裝自己達到高潮,可能不只是為了給男性留面子,而是為了喚醒自己的「真高潮」才會如此演出。這項研究訪問了481位異性戀的女子,調查他們假裝性高潮的原因,從統計結果來看,女性假裝高潮,主要有以下4個理由(我想大部分的人都知道其中的三種理由): 照顧伴侶的感受 避免消極...

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