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工業技術研究院 - 技術成果 - 電阻式記憶體技術

3.利用ALD在薄膜成份與厚度的控制能力,有效的舒緩電阻式記憶體所需的生成電壓(Forming voltage) ... 不僅讓工研院在發展RRAM取得領先的地位,也讓工研院掌握下世代記憶體發展的關鍵技術,透過RRAM ......

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