Dry Etch 各站製程原理 - NEW JEIN INDUSTRIAL CO, LTD
Application on 5 PEP (BCE) SF6 + e- →SFx* +(6 - x)F* + e-Cl2 2Cl* (5) 化學反應式 + e- →2Cl* + e-SFx* + yCl→SFxCly Si + 4 F* →SiF4 Si + 4Si + 4 Cl* →SiCl4SiCl4 (6)(6) AhiAshing----PR R l IPR Removal Issue 乾蝕刻製程如果蝕刻時間過久,也會有光阻去除 ......