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Electron Beam Proning - E-Beam 基本原理: 利用低能的電子束撞擊不同電位的點,會擊出不同的"二次電子"量. 如右圖所說明:當一金屬線為接地電位為 0, 另一偏壓在 5V. 當電子束掃描時電位為 0 的金屬線所產生的二次電子 量將比電位為 5V的多. ......

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