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半導體光激發螢光頻譜實驗 1.光激發螢光頻譜(photoluminescence,PL)的原理

5 因為在此結構中GaAs layer 很薄因此電子及電洞都會因量子侷限效應而形成次 能階.其有效能距(effective energy gap)因此會大於塊材之能距。C. 將每個溫度發光強度做積分得I PL(T),把最低溫度發光強度積分視為I...

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