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NMOS transistors that mitigate fermi-level pinning by employing a hafnium-silicon gate electrode and

NMOS transistors that mitigate fermi-level pinning by employing a hafnium-silicon gate electrode and high-k gate dieletric ... The Fermi-pinning effect of high k gate dielectric materials causes a threshold voltage shift and low mobility, due to the incre...

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  Karen表示, 自己是於2006年與川普相見並相戀(在川普已婚期間),後與他維持了十個月的浪漫愛情,有過無數次無保護的性愛。 「川普是個特別有魅力的人,和電視上報道的完全不一樣,我和他之間是真愛,我愛過他,確信她也愛過我。」 Karen這一重磅炸彈下來,不僅讓已經焦頭爛額的川普陣營...

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