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從磊晶與製程下手 UV LED追求更高發光效率 - 學技術 - 新電子科技雜誌

... 材料本身特性來看,藉由改變Al的含量,能隙寬度可由GaN的3.4eV增加到AlN的6.2eV,但是當能隙寬度隨著Al ......

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