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優化MOSFET性能 低壓超級接面結構一枝獨秀 - 學技術 - 新電子科技雜誌

分析顯示,在研發功率MOSFET技術的過程中,以往常見以QG和QGD(意即RDS(on)×QG和RDS(on)×QGD)為基礎的因數 ......

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