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MOS元件原理及參數介紹 @ 電動產業的世界 :: 隨意窩 Xuite日誌

MOSFET — 直流參數 崩潰電壓 B VDSS : 此為汲極端–源極端所能承受電壓值,主要受制內部逆向二極體的耐壓。 通道漏電流 I DSS : 即所謂的洩漏電流通常很小,但是有時為了確保耐壓,在晶片周圍的設計,多少會有洩漏電流成分存在,此最大可能 ......

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