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採用屏蔽閘極結構 中電壓MOSFET功耗銳減 - 學技術 - 新電子科技雜誌

體二極體損耗 在死區時間,體二極體為導通。體二極體導通時會產生可觀的功率損耗,因為相較於MOSFET通道,P-N接面造成的電壓降更高。體二極體在死區時間導通所造成的功率損耗,會明顯降低整體效率,特別是在低電壓和高頻率時,其導通損耗 ......

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