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優化MOSFET性能 低壓超級接面結構一枝獨秀 - 學技術 - 新電子科技雜誌

前三項性能指標已廣泛用於評估技術的適用性,因此無須多作介紹,其僅用於告知設計工程師須盡可能減少單位面積上的RDS(on)值(即Sp.RDS(on)),以確保晶片在有限的封裝尺寸內達成最高的功效。且對於特定的RDS(on),要儘量降低MOSFET電容CGS和CGD,以 ......

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湖南衛視知名主持人李銳在微博上發布一組央視主持人文靜早年前打瞌睡的照片,並@央視主持人趙普詢問到:“哥,這是真的嗎?”對此,趙普在微博上回复:有這事,但沒這麼誇張。 我和文靜是大型早間新聞《朝聞天下》的首任主播。凌晨三、四點雞還沒打鳴兒,我們就得工作了。瞌睡難免,被導播切出...

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