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優化MOSFET性能 低壓超級接面結構一枝獨秀 - 學技術 - 新電子科技雜誌

前三項性能指標已廣泛用於評估技術的適用性,因此無須多作介紹,其僅用於告知設計工程師須盡可能減少單位面積上的RDS(on)值(即Sp.RDS(on)),以確保晶片在有限的封裝尺寸內達成最高的功效。且對於特定的RDS(on),要儘量降低MOSFET電容CGS和CGD,以 ......

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