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功函數差(Work function difference )

理想金氧半(MOS)二極體的能帶圖: 聚積狀態 空乏狀態 SiO2-Si MOS 二極體 電特性最接近理想MOS二極體。 與理想二極體最大差異:a.金屬電極與半導體之功函數差q ms不為 ......

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