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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 整合雙功函數金屬閘極CMOS - Semicondutor Magazine

... 複晶矽閘極[4,5]。為了在高摻雜基板上達成n型和p型MOSFETs,這需要兩個不同金屬閘極,且其功函數是接近Si基座的導電帶(~4.1eV),對於n MOSFET,和在價電帶邊緣(~5.2eV)對於pMOSFET ......

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