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TLS-Thermal Laser Stimulation(OBIRCH, TIVA,SEI)

基本原理 摘要: 使用紅外線: 因位矽能隙(bandgap)關係,須使用波長大於 1.1 um(1.1eV)的近紅外線(NIR)雷射, 因為波長小於1.1會產生光電流 利用此雷射光束加熱金屬性元件(metallic element); 可以延伸到多晶矽(polysilicon)與重摻雜的基材(highly doped substrate area)...

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