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檢測大電流、低電壓MOSFET故障機制 比較平面型與凹槽式架構 - 學技術 - 新電子科技雜誌

此處的μ為載子的遷移率;COX為氧化層電容;VTH為閘極啟動電壓;W是通道周長(channel perimeter);L為通道長 ......

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文章有點長,但絕對值得你看完!感動數億網友! 有一個女孩名叫茜,在她還沒有出生的時候她的爸爸就已經去世了,她和媽媽、姥姥、還有繼父生活在一起, 可是姥姥和繼父都不喜歡她。於是, 在她上高中時媽媽給她送進了一所私 立學校。私立學校都是有錢人家的孩 子,在這一群富家子弟中,茜顯得是那樣的另類,她每個月的...

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